January 27,2023 Post by : ชาญ อริยสัจจากุล
ชิปคอมพิวเตอร์ นักวิจัยพบหลักการสร้าง ที่มีหน่วยความจำมากกว่าเดิม 100 เท่าชิปคอมพิวเตอร์ หน่วยความจำอะตอมที่เล็กที่สุดในโลก กำลังถูกสร้างขึ้นสำหรับชิปคอมพิวเตอร์ที่มีขนาดเล็กลง เร็วขึ้นและประหยัดพลังงานมากขึ้นกว่าเดิม ซึ่งโปรเซสเซอร์ขนาดเล็กช่วยให้ผู้ผลิตสามารถสร้างคอมพิวเตอร์และโทรศัพท์ที่มีขนาดเล็กลงได้มากขึ้น
นักวิจัยได้สร้างอุปกรณ์หน่วยความจำที่เล็กที่สุดซึ่งเป็นความก้าวหน้าที่อาจนำไปสู่การสร้างชิปคอมพิวเตอร์ที่เร็วขึ้น มีขนาดเล็กลงและประหยัดพลังงานมากขึ้น และนอกจากนี้นักวิทยาศาสตร์ที่ทำงานในมหาวิทยาลัยเท็กซัสออสตินที่ตั้งอยู่ในสหรัฐอเมริกา ยังค้นพบฟิสิกส์ที่สามารถปลดล็อกความสามารถของการจัดเก็บข้อมูลของหน่วยความจำทีมีอยู่เป็นจำนวนมากสำหรับอุปกรณ์ขนาดเล็กเหล่านี้
ในงานวิจัยที่ตีพิมพ์เมื่อเร็ว ๆ นี้ในวารสาร Nature Nanotechnology นักวิทยาศาสตร์ได้ลดขนาดของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำที่บางที่สุดโดยลดขนาดพื้นที่หน้าตัดลงเหลือเพียงหนึ่งตารางนาโนเมตร
Deji Akinwande นักวิทยาศาสตร์อธิบายว่ารูเล็ก ๆ ที่พบในวัสดุเป็นเงื่อนไขสำคัญที่ใช้ในการปลดล็อกความสามารถในการจัดเก็บหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูง โดยเมื่ออะตอมของโลหะเพิ่มเติมเพียงอะตอมเดีแม้ว่านักวิจัยจะใช้สารประกอบโมลิบดีนัมไดซัลไฟด์หรือที่เรียกว่า MoS2 ซึ่งเป็นวัสดุนาโนหลักในการศึกษา
แต่พวกเขาเชื่อว่าการค้นพบนี้สามารถนำไปใช้กับวัสดุบาง ๆ ที่เกี่ยวข้องกับอะตอมได้หลายร้อยชนิด อย่างโปรเซสเซอร์ที่มีขนาดเล็กที่ช่วยให้ผู้ผลิตสามารถสร้างคอมพิวเตอร์และโทรศัพท์ขนาดเล็กลงได้มากกว่าเดิม
นักวิจัยยังได้กล่าวเสริมว่าการลดขนาดชิปคอมพิวเตอร์ลงยังช่วยลดความต้องการพลังงานและเพิ่มความจุให้กับชิปคอมพิวเตอร์ดังกล่าวได้มากขึ้น ซึ่งหมายความว่าอุปกรณ์ที่เร็วขึ้นและชาญฉลาดขึ้นจะใช้พลังงานน้อยลงในการทำงานยวเข้าไปในรูนาโนนั้นและเติมเข้าไป จะทำให้เกิดการนำไฟฟ้าบางส่วนเข้าไปในวัสดุและสิ่งนี้นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงหรือผลของหน่วยความจำ
อุปกรณ์ดั้งเดิมที่นักวิจัยขนานนามว่า อะตอมริสเตอร์ เป็นอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลหน่วยความจำที่บางที่สุดเท่าที่เคยมีการบันทึกมาโดยมีความหนาของชั้นอะตอมเพียงชั้นเดียว ซึ่งการลดขนาดอุปกรณ์หน่วยความจำไม่ได้เป็นเพียงแค่การทำให้มีขนาดที่บางลงเท่านั้น แต่ยังรวมถึงการสร้างด้วยพื้นที่หน้าตัดที่เล็กลงด้วย
อุปกรณ์ใหม่นี้จัดอยู่ในประเภทของเมมริสเตอร์ซึ่งเป็นพื้นที่ของการวิจัยหน่วยความจำโดยมีศูนย์กลางอยู่ที่ส่วนประกอบไฟฟ้าที่มีความสามารถในการปรับเปลี่ยนความต้านทานระหว่างขั้วทั้งสองโดยไม่จำเป็นต้องมีขั้วที่สามอยู่ตรงกลาง ตามที่นักวิจัยระบุว่าอุปกรณ์เหล่านี้อาจมีขนาดเล็กกว่าอุปกรณ์หน่วยความจำที่ใช้อยู่ในปัจจุบันและมีความจุมากกว่า
พวกเขากล่าวว่าเมมริสเตอร์รุ่นใหม่นี้มีความจุประมาณ 25 เทราบิตต่อตารางเซนติเมตรซึ่งมีความหนาแน่นของหน่วยความจำสูงขึ้นประมาณ 100 เท่าเมื่อเทียบกับอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชที่มีจำหน่ายทั่วไป
ติดตามข่าวสารอื่น ๆ อีกมากมาย ข่าวสารวงการไอที ได้ที่นี่ และ อเมซอน เอคโค่บัดส์ ที่แตกต่างจากหูฟังตัวอื่น ที่เตรียมเพิ่มฟีเจอร์ในการวัดค่าต่าง ๆ
